A 1.25Gb/s InP-Based Vertical Monolithic Integration of an MQW Laser Diode and an HBT Driver witha Lateral Buffer Mes a Structure  

1.25Gb/sInP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成(英文)

作　　者：李献杰[1] 曾庆明[1] 徐晓春[1] 敖金平[1] 赵方海[2] 杨树人[2] 柯锡明[3] 王志功[3] 刘式墉[2] 梁春广[1] 

机构地区：[1]河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051 [2]吉林大学集成光电子学国家重点实验室,长春130023 [3]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第5期468-472,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目 (项目编号 :863-30 7-15 -3-0 4)~~

摘　　要：A novel fabrication process related to a smoothly wet chemical etching profile o f InP-based epitaxial layers in the crystal direction of [01for an InP-based monol ithic vertically integrated transmitter with an MQW laser diode and a heterojunction bipolar tran sistors driver circuit is described.A clear eye output diagram via an O/E converter is demonstrat ed und er a 1.25Gb/s non-return-zero pseudorandom code with a pattern length of 2 the integrated transmitter has a power dissipation of about 120mW with an optical output of 2dBm.描述了一种基于 In P材料沿 [0 11]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的 In P基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成 .通过一个横向缓冲台面结构 ,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度 ,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性 .采用该方法制作的光发射单片直流功耗为 12 0 m W,在码长 2 2 3- 1传输速率 1.5 Gb/ s伪随机码信号调制下有清晰的眼图 ,光输出功率为 2 d

关 键 词：integrated  optoelectronics optoelectronic int egrated circuits transmitter 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]