徐晓春

作品数：5被引量：8H指数：2
导出分析报告
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文主题：OEIC光接收机单片集成MQWMHEMT更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第2期183-185,共3页曾庆明 徐晓春 李献杰 敖金平 王全树 郭建魁 刘伟吉 揭俊锋 
叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～
关键词：A1GaAs/GaAs HBT D-触发器 静态分频器 异质结双极晶体管 铝镓硅三元化合物 
A 1.25Gb/s InP-Based Vertical Monolithic Integration of an MQW Laser Diode and an HBT Driver witha Lateral Buffer Mes a Structure被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第5期468-472,共5页李献杰 曾庆明 徐晓春 敖金平 赵方海 杨树人 柯锡明 王志功 刘式墉 梁春广 
国家高技术研究发展计划资助项目 (项目编号 :863-30 7-15 -3-0 4)~~
A novel fabrication process related to a smoothly wet chemical etching profile o f InP-based epitaxial layers in the crystal direction of [01for an InP-based monol ithic vertically integrated transmitter with an M...
关键词：integrated  optoelectronics optoelectronic int egrated circuits transmitter 
GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第2期235-237,共3页李献杰 敖金平 曾庆明 刘伟吉 徐晓春 刘式墉 梁春广 
报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反...
关键词：MHEMT 直流特性 砷化镓 铟铝砷 铟镓砷 电子迁移率晶体管 
1.55μm光发射OEIC技术研究被引量：1
《半导体光电》2002年第1期23-25,共3页李献杰 曾庆明 徐晓春 刘伟吉 敖金平 王全树 杨树人 赵方海 柯锡明 王志功 刘式墉 梁春广 
8 6 3国家高科技资助项目 (86 3- 30 7- 15 - 3- 0 4 )
采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随...
关键词：光发射 光电集成电路 INP 
单片集成长波长光接收机被引量：3
《半导体光电》2002年第1期26-28,共3页敖金平 刘伟吉 李献杰 曾庆明 赵永林 乔树允 徐晓春 王全树 
国家 8 6 3高科技资助项目 (86 3- 30 7- 15 - 3- 0 4 )
介绍了利用InGaAs长波长金属 半导体 金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等 ,解决了工艺兼容性问题 ,实现了 2 .
关键词：OEIC 单片集成 光接收机 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部