检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:敖金平[1] 刘伟吉[1] 李献杰[1] 曾庆明[1] 赵永林[1] 乔树允[1] 徐晓春[1] 王全树[1]
出 处:《半导体光电》2002年第1期26-28,共3页Semiconductor Optoelectronics
基 金:国家 8 6 3高科技资助项目 (86 3- 30 7- 15 - 3- 0 4 )
摘 要:介绍了利用InGaAs长波长金属 半导体 金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等 ,解决了工艺兼容性问题 ,实现了 2 .The circuit design and fabricating process of long wavelength monolithically integrated photoreceiver using metal semiconductor metal(MSM) InGaAs photodetector and InAlAs/InGaAs high electronic mobility transistor(HEMT) are presented. The compatibility of the process is discussed. As a result, a prototype of long wavelength monolithically integrated photoreceiver is demonstrated under a transmitting rate of 2.5 Gb/s.
分 类 号:TN256[电子电信—物理电子学] TN929.11
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