InAlAsInGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现  

Design and realization of an InAlAs/InGaAs HEMT transimpedance amplifiers

作　　者：王蓉[1] 王志功[1] 柯锡明[1] 敖金平[2] 李献杰[2] 刘伟吉[2] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096 [2]信息产业部电子13研究所,石家庄050002

出　　处：《东南大学学报（自然科学版）》2002年第1期46-49,共4页Journal of Southeast University：Natural Science Edition

基　　金：国家 8 63计划资助项目 (863 -3 0 7-15 -3 -0 5 )

摘　　要：提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2This paper presents a depletion InAlAs/InGaAs HEMT-based single supply transimpedance amplifier circuit for optical communication receiver. It is composed of an amplifier stage, two stages of source follower, an output stage and a feedback resistance. The schemes of single supply voltage, single-ended input and differential output are adopted in the circuit. While operating at 2.5 Gbit/s, the preamplifier shows a transimpedance of 62.5 dbΩ. The chip consumes 272 mW at a single + 5 V supply voltage.

关 键 词：InAlAs/InGaAsHEMT 光接收机 前置放大器 工艺 光纤通信接收机 设计 

分 类 号：TN722.71[电子电信—电路与系统] TN85