超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器  

A Low-power Consumption GaAs PHEMT Transimpedance Amplifier

作　　者：王蓉[1] 王志功[1] 柯锡明[1] 敖金平[2] 李献杰[2] 刘伟吉[2] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏南京210096 [2]河北半导体研究所,河北石家庄050002

出　　处：《光电子．激光》2002年第1期9-11,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家"8 63"计划光电子主题资助项目 (863 -3 0 7-15 -3 -0 5 )

摘　　要：本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 mA GaAs PHEMT based preamplifier has been designed and realized for an optical receiver in optical fiber communication systems.It composes of an amplifier stage,two stages of source follower and a feedback resistance,using a single supply voltage.While operating at 2.5 Gbit/s,the preamplifier shows a transimpedance of 60 dBΩ.The chip consumes 110 mW at a single +5 V supply voltage.

关 键 词：光接收机 PHEMT工艺 砷化镓 跨阻前置放大器 

分 类 号：TN722.71[电子电信—电路与系统]