跨阻前置放大器

作品数：14被引量：32H指数：3
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10Gb/s光接收机跨阻前置放大器芯片设计研究被引量：1
《半导体光电》2017年第4期562-565,共4页李久 何进 童志强 黄启俊 常胜 王豪 
国家自然科学基金项目(61204096;61404094);中国博士后科学基金项目(2012T50688);中央高校基本科研项目(2042015kf0174;2042014kf0238);湖北省自然科学基金项目(2014CFB694);江苏省科学基金项目(BK20141218)
采用0.18μm BiCMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声、宽带宽以及大输入动态范围的光接收机跨阻前置放大器。在寄生电容为250fF的情况下,采用全集成的四级放大电路,合理实现了上述各项参数指标间的折中。测试结果表明:放大器单端跨...
关键词：跨阻放大器 光接收机 等效输入噪声电流谱密度 BICMOS工艺 
基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器被引量：1
《半导体光电》2013年第6期920-923,929,共5页王巍 武逶 冯其 王川 唐政维 王振 袁军 
提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽...
关键词：跨阻放大器 CMOS 并联电感峰化 容性退化 调节型共源共栅 
10Gb/s宽动态范围CMOS跨阻前置放大器被引量：2
《电子学报》2010年第5期1187-1191,共5页刘全 冯军 
国家863高技术研究发展计划(No.2006AA01Z284)
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双...
关键词：光接收机 前置放大器 跨阻放大器 自调整的共源共栅 消直流 宽动态范围 0.13μm CMOS 
开关电容阵列中高带宽跨阻前置放大器设计
《核电子学与探测技术》2009年第6期1307-1309,1330,共4页王科 王铮 刘振安 魏微 陆卫国 Gary Varner 
为了放大高能粒子物理实验中高精度定时信号,使其适用于开关电容阵列电路的采集范围与幅度,设计高带宽RGC型跨阻前置放大器。此放大器具有低输入阻抗,高带宽,高跨导的特点。采用TSMC 0.25μmCMOS工艺,2.5V单电源供电。仿真结果表明,该...
关键词：调整型共源共栅 开关电容阵列 前置放大器 跨阻 高带宽 
光通信用宽动态范围10Gb/s CMOS跨阻前置放大器被引量：2
《半导体光电》2009年第2期264-267,共4页刘全 冯军 
国家"863"计划项目(2006AA01Z284)
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现。同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围。后仿真结果表明:双端输出时中...
关键词：光接收机 前置放大器 跨阻放大器 RGC 消直流 宽动态范围 0.13μm CMOS 
0.18μm CMOS 2.5Gb/s光接收机跨阻前置放大器的设计被引量：2
《中国计量学院学报》2007年第4期301-304,共4页周盛华 杨波 韩鹏 王志功 
给出了一种利用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现的2.5 Gb/s跨阻前置放大器.此跨阻放大器的增益为66.3 dBΩ,3 dB带宽为2.18 GHz,等效输入电流噪声为112.54 nA.在标准的1.8 V电源电压下,功耗为7.74 mW.输入光功率为-10 dBm时,PCML单端输出信...
关键词：光接收机 前置放大器 跨阻放大器 CMOS工艺 
155Mb/s光通信用CMOS自动增益控制跨阻前置放大器被引量：4
《电子学报》2007年第11期2189-2192,共4页韩鹏 王志功 孙玲 李伟 高建军 
采用华润上华的0.6μm标准CMOS工艺设计了一种应用于光纤通信系统STM-1速率级别的自动增益控制(AGC)跨阻前置放大器.为了扩展输入动态范围,采用自动增益控制技术监控输入电流中与电流幅度成正比的直流分量的变化.当输入信号过大时,降低...
关键词：自动增益控制 前置放大器 跨阻结构 噪声性能优化 
一种850nm单片集成光接收机前端
《固体电子学研究与进展》2007年第3期350-355,共6页冯欧 冯忠 杨立杰 焦世龙 蒋幼泉 陈堂胜 李拂晓 叶玉堂 
国家自然科学基金(No60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No51491050105DZ0201)
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近...
关键词：金属-半导体-金属光探测器 跨阻前置放大器 光电集成电路 台面 眼图 
带AGC的CMOS光接收机前置放大器的设计被引量：2
《光通信研究》2005年第6期53-56,共4页王丽芳 周华 冯炜 蒋湘 
设计了一种带有自动增益控制电路(AGC)的动态范围较宽的互补型金属氧化物半导体(CMOS)光接收机跨阻前置放大器(TIA)。该放大器的工作电压为3.3 V。采用0.25μm CMOS工艺库仿真,结果表明:小信号输入时,跨阻增益可达76 kΩ,单端输出信号...
关键词：自动增益控制电路 跨阻前置放大器 跨阻增益 
10Gbit/s GaAs跨阻前置放大器被引量：2
《电子器件》2005年第2期248-250,共3页王国全 
国家863计划资助项目(2002AA312100)
GaAs基pHEMT工艺适合于制作10Gbit/s速率的高速前置放大器电路。完成了工作于10Gbit/s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计,电路采用了串联电感L技术,有效地提高了工作带宽。模拟工作带宽达到9.0GHz,跨阻增益达到58dBΩ。电...
关键词：光纤通信 跨阻前置放大器 GAAS 
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