王川

作品数：4被引量：9H指数：1
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发文主题：CMOS雪崩光电二极管带宽跨阻放大器雪崩更多>>
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应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计被引量：3
《红外与激光工程》2015年第5期1587-1592,共6页王巍 武逶 冯其 颜琳淑 王川 王冠宇 袁军 王振 
重庆市电子产业发展基金
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 m Vpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18μm CMOS工艺进...
关键词：光接收机 CMOS前置放大电路 跨阻放大器 限幅放大器 
Ge/Si SACM-APD器件分析被引量：1
《红外与激光工程》2015年第4期1349-1353,共5页王巍 颜琳淑 王川 杜超雨 王婷 王冠宇 袁军 王振 
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：...
关键词：Ge/Si雪崩二极管 吸收区-电荷区-倍增区分离 器件仿真 
一种高带宽NP型CMOSAPD的研究被引量：5
《红外与激光工程》2015年第2期699-704,共6页王巍 王川 颜琳淑 杜超雨 王婷 王冠宇 王振 冯世娟 
重庆市电子产业发展基金
提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关...
关键词：雪崩光电二极管 CMOS APD 带宽 
基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器被引量：1
《半导体光电》2013年第6期920-923,929,共5页王巍 武逶 冯其 王川 唐政维 王振 袁军 
提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽...
关键词：跨阻放大器 CMOS 并联电感峰化 容性退化 调节型共源共栅 
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