InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术  

Wet chemical selective etching of InP/InGaAs HBT

作　　者：李献杰[1] 曾庆明[1] 徐晓春 敖金平[1] 刘伟吉[1] 梁春广[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第十三研究所

出　　处：《功能材料与器件学报》2000年第3期178-181,共4页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：863"国家高科技项目光电子307主题资助!(课题号:863-307-15-3-04)

摘　　要：用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.InP selective etching to InGaAs and InGaAs selective etching to InP were achieved with H3PO4/H2O2 solution and HCl solution system . Using these process, for 10μ m× 20μ m emmiter area InP/InGaAs HBT with DC gain of 70, Ft of 11GHz and Fmax of 12GHz are obtained.

关 键 词：INP INGAAS 选择腐蚀 HBT 湿法刻蚀 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN305.7