曾庆明

作品数：1被引量：1H指数：1
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InP基InAlAs-InAs HEMT被引量：1
《半导体情报》1998年第2期35-37,共3页敖金平 曾庆明 蔡克理 赵永林 
对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制...
关键词：高电子迁移率 晶体管 HEMT 砷化铟 
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