InP基InAlAs-InAs HEMT  

InP Based InAlAs InAs HEMT

作　　者：敖金平[1] 曾庆明[1] 蔡克理[1] 赵永林 

机构地区：[1]电子工业部第十三研究所砷化镓集成电路国家重点实验室

出　　处：《半导体情报》1998年第2期35-37,共3页Semiconductor Information

摘　　要：对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制成功的ＩｎＡｓ沟道ＨＥＭＴ器件。The material and device structure design of InAs channel InAlAs InAs HEMT and its process are studied.The device displays well behaved characteristics,showing a maximum transconductance of 250mS/mm in 300K.This is the first InAs channel HEMT realized in our country.

关 键 词：高电子迁移率 晶体管 HEMT 砷化铟 

分 类 号：TN304.22[电子电信—物理电子学] TN325.3