一种高效MOS半波整流电路  

Highly Effective Half-Wave Rectifying Circuits Based on MOS Technology

作　　者：路超[1] 李永明[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1458-1461,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助 ( G2 0 0 0 0 36 5 0 8)~~

摘　　要：针对传统半波整流电路的不足提出了基于 MOS工艺的改进方法及电路 .该电路利用 MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运 ,有效地提高了半波整流电路的整流效率 ,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数 ,从而以较简单的电路形式改善了半波整流电路的性能 .着重分析了该电路形式的作用机理 ,并给出了相应的The improved half wave rectifier is presented by employing MOS technology based on the deficiency of conventional architecture.By using the character of parasitic capacitor,the charge transfer can elevate the rectifying efficiency,shorten the rising time and minimize the ripple factor to a degree.Thus,the performance of half wave rectifying circuits is much improved.The function mechanism of the circuit is analyzed and the Hspice simulation result is given.

关 键 词：MOS工艺 半波整波电路 寄生电容 电荷转运 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]