铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响  

Effect of Erbium-Segregation and Precipitation on 1.54 μm Light Emission from Erbium-Doped Silicon

作　　者：徐飞[1,2] 肖志松[3] 程国安[4] 易仲珍[3] 曾宇昕[4] 张通和[3] 顾岚岚[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]南昌大学材料科学与工程系,江西南昌330047 [3]北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 [4]南昌大学材料科学与工程系

出　　处：《中国稀土学报》2002年第1期68-71,共4页Journal of the Chinese Society of Rare Earths

基　　金：国家自然科学基金项目 ( 6 976 6 0 0 1);复旦大学应用表面物理国家重点实验室基金资助项目

摘　　要：用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达～ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。Er doped silicon thin films were synthesized using metal vapor vacuum arc (MEVVA) ion source. Er concentrations in as implanted sample were attained to 10%(atomic fraction) corresponding to 1×10 21 cm -3 . The solubility, segregation and precipitation behaviors of Er in Er doped silicon are closely related to ion implantation parameter. 1 54 μm light emitting signals from Er doped Si thin films are influenced by such the factors as Er segregation, precipitation and irradiation damage etc.

关 键 词：稀土 离子注入 掺铒硅 偏析 光致发光 发光薄膜 金属蒸气真空弧离子源 铒 沉淀 光发射 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O482.31[理学—固体物理]