掺铒硅

作品数：16被引量：27H指数：4
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基于光子晶体渐变型双异构微腔的掺铒硅光致发光研究
《半导体光电》2016年第4期467-471,共5页王玥 安俊明 吴远大 胡雄伟 
国家自然科学基金项目(61205044)
实验验证了室温下二维氧化物下包层非对称平板三角晶格光子晶体渐变型双异构微腔对绝缘体上硅(SOI)基片上铒氧共掺硅材料的显著发光增强作用。在波长为488nm、功率为15mW激光激发下,微腔的光致发光(PL)谱呈现出一个位于1 557.93nm通信...
关键词：光子晶体 微腔 光致发光 稀土掺杂 
增强硅中掺铒发光强度的途径研究
《现代电子技术》2011年第14期128-130,134,共4页黄政 胡浩 
硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心,研制出一种新的发光二极管(Si:Er LED),它的发光波长为1.54μm,恰好满足石英光纤通信的要求。对掺铒硅的电学特性、...
关键词：掺铒硅 发光二极管 发光效率 石英光纤通信 
高浓度掺铒硅的结构分析
《南昌大学学报（理科版）》2007年第6期560-563,共4页徐鹏 王应民 徐飞 张萌 
江西省材料中心基金资助项目(ZX200401007;KG200201013);江西省教育厅赣教技字资助项目([2005]160)
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机,合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析。在小束流2.5μA.cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出,且析出量增多。相同束流条件下,增大E...
关键词：掺铒硅 离子注入 MEVVA XRD 
基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径被引量：1
《物理》2005年第4期293-299,共7页李延辉 刘技文 赵燕平 李昌龄 李娟 
国家自然科学基金(批准号:10074049);天津市自然科学基金(批准号:023801611)资助项目
掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨...
关键词：发光效率 硅基材料 发光机理 硅基发光材料 光纤放大器 掺铒硅 集成技术 研究进展 光电子 实用化 掺氧 
退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响被引量：5
《核技术》2002年第8期631-636,共6页徐飞 肖志松 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 
国家自然科学基金 (6 976 6 0 0 1);复旦大学应用表面物理国家重点实验室资助
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF...
关键词：退火温度 离子注入 掺铒硅 快速退火 光致发光 半导体材料 结构 发光薄膜 发光材料 
铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响被引量：2
《中国稀土学报》2002年第1期68-71,共4页徐飞 肖志松 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 
国家自然科学基金项目 ( 6 976 6 0 0 1);复旦大学应用表面物理国家重点实验室基金资助项目
用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达～ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分...
关键词：稀土 离子注入 掺铒硅 偏析 光致发光 发光薄膜 金属蒸气真空弧离子源 铒 沉淀 光发射 
(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1258-1263,共6页徐飞 肖志松 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 
国家自然科学基金 (批准号 :6 976 6 0 0 1);复旦大学应用表面物理国家重点实验室基金资助项目~~
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅...
关键词：双注入 掺铒硅 光致发光 表面结构 二氧化硅 薄膜 
硅基材料的发光特性及机理
《材料导报》2001年第9期36-37,共2页李宏建 彭景翠 瞿述 许雪梅 黄生祥 夏辉 
湖南省自然科学基金(98JJY2047)
硅基发光材料及器件是实现光电子集成的关键,文章介绍了目前取得较大进展的包括多孔硅、掺铒硅、钠米硅等几种主要硅基材料的发光特性及发光机理。
关键词：硅基光电集成 硅基发光材料 多孔硅 掺铒硅 纳米硅 发光特性 发光机理 
掺铒硅光致发光激子传递能量机制被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第3期232-238,共7页雷红兵 杨沁清 欧海燕 余金中 王启明 
国家自然科学重大基金项目 !( No.698962 60 );重点基金项目!( No.6988970 1 )
铒离子在硅中呈现弱施主特性 ,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级 .氧杂质与铒离子形成复合体 ,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道 .提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型 ,建立了发光动力学速率方程 ,并进行了详细推...
关键词：激子传递能量 光致发光 掺饵 硅 
掺铒硅多孔化后的光致发光特性被引量：4
《物理学报》2000年第2期383-387,共5页顾岚岚 熊祖洪 陈刚 徐少辉 
国家自然科学基金!重点项目 (批准号 :5 983 2 10 0 )资助的课题
采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光....
关键词：掺铒硅 多孔硅 光致发光特性 
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