铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究  

Preparation of PLZT Ferroelectric Thin Films with Different Excess Pb and Their Electrical Properties

作　　者：侯识华[1] 宋世庚[1] 马远新[2] 郑毓峰[3] 

机构地区：[1]中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐830011 [2]新疆医科大学基础部,乌鲁木齐830054 [3]新疆大学物理系,乌鲁木齐830046

出　　处：《材料科学与工程》2001年第3期43-47,共5页Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 1970 2 0 16)

摘　　要：采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。PLZT ferroelectric thin films with 0mol% to 20mol% excess Pb have been prepared by a sol-gel method on Pt/TiO 2/Si substrates.The crystalline structures of the PLZT films were analyzed by the X-ray diffractometry(XRD).The effect of Pb content on the dielectric and ferroelectric properties of the PLZT thin films have been studied. All PLZT films had a perovskite structure with the <110> preferred orientation.The dielectric and ferroelectric properties of the PLZT thin films varies with Pb content.The film with 10mol% excess Pb has the optimum dielectric and ferroelectric properties .

关 键 词：SOL-GEL法 PLZT 铁电薄膜 铅过量 电学性质 锆钛酸铅镧薄膜 介电性能 铁电性能 制备 

分 类 号：TM221[一般工业技术—材料科学与工程] O484[电气工程—电工理论与新技术]