用测量单晶硅正电子寿命谱来确定最佳的FWHM的方法  

作　　者：王丽君[1] 征洋[1] 

机构地区：[1]安徽师范大学

出　　处：《实验室研究与探索》1991年第4期80-82,共3页Research and Exploration In Laboratory

摘　　要：本文用高纯单晶硅作为标准样品,利用正电子寿命谱仪测量其寿命谱,用POSITRONFIT-EXTFNDED程序对其进行处理时,用一系列FWHM值作单高斯拟合,得到相应的单晶硅的平均寿命τ及其拟合度Q,取拟合度Q最小且τ也最接近标准寿命所输入的 FWHM作为最佳的数值。此法确定的 FWHM=220ps,以及用 RESOLUTION程序得到 FWHM=219ps,两者十分符合。

关 键 词：正电子寿命谱 单晶硅 FWHM 

分 类 号：O472.4[理学—半导体物理]