直流磁控溅射一步法原位制备MgB_2超导薄膜  

Single-step in-situ preparation of magnesium diboride superconducting thin films by dc magnetron sputtering

作　　者：马平[1] 刘乐园[1] 张升原[1] 王昕[1] 谢飞翔[1] 邓鹏[1] 聂瑞娟[1] 王守证[1] 戴远东[1] 王福仁[1] 

机构地区：[1]人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系北京100871

出　　处：《物理学报》2002年第2期406-409,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划 (批准号 :86 3 CD0 5 0 10 1);国家重点基础研究 ( 973)专项经费 (批准号 :G19990 6 46 0 9;G19990 6 46 0 7)资助的课题~~

摘　　要：用MgB2 靶 ,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态 ,在SrTiO3 衬底上原位一次性得到了MgB2 超导薄膜 ,其起始转变温度为 32K ,零电阻温度为 15K .In a single-step in-situ procedure,the superconducting MgB 2 (101) highly oriented thin films have been successfully grown on the SrTiO 3 (100) substrates by using the synthesised MgB 2 target and controlling the magetron sputtering working at the state of abnormal glow discharge or arc discharge.The fillms have a zero resistance transition temperature of 15K and an onset transition temperature of 33K.

关 键 词：高温超导体 超导薄膜 直流磁控溅射 二硼化镁 MGB2 制备方法 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TM262[理学—物理]