与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计  

Simulation and Design of a CMOS-Process-Compatible High-Speed Si-Photodetector

作　　者：毛陆虹[1] 陈弘达[1] 吴荣汉[1] 唐君[1] 梁琨[1] 粘华[2] 郭维廉[2] 李树荣[2] 吴霞宛[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083 [2]天津大学电子与信息工程学院,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第2期193-197,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6983 60 2 0;698960 2 0 )~~

摘　　要：用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm COMS工艺制做了该探测器 ,实际测试了该器件的频率响应和波长响应 ,探测器频率响应在 1GHz以上 ,峰值波长响应在 0 .6 9μm.The high speed photodetector which is compatible with CMOS process is designed by using the method of device simulation.The detector can be monolithically integrated with CMOS receiver.The device simulation is processed by commercial software and the circuit model is given.The detector is fabricated by using 0 35μm CMOS at MOSIS(MOS implementation support project).Both the frequency response and wavelength response of the detector are tested.The frequency response is above 1GHz and the peak wavelength response is at 0 69μm.

关 键 词：光电探测器 器件模拟 CMOS工艺 兼容 设计 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]