GaN系量子阱器件的研究进展  

Research advances in GaN-based QW devices

作　　者：李嘉炜[1] 王宇[1] 叶志镇[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《半导体情报》2001年第6期13-17,共5页Semiconductor Information

摘　　要：介绍了在蓝宝石衬底和 ELOG (外延横向过生长 )衬底上生长的 In Ga N量子阱 LED和 LD结构 ,并描述了 LED和InGaN single quantum well(SQW)structure LEDs and InGaN multi quantum well(MQW)structure LDs grown on the sapphire substrate and ELOG substrate are introduced in this paper.And the device applications are described also.

关 键 词：量子阱器件 ELOG 氮化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]