Oxide Thickness Effects on n-MOSFETs Under On-State Hot-Carrier Stress  

开态热载流子应力下的 n-MOSFETs的氧化层厚度效应(英文)

作　　者：胡靖[1] 穆甫臣[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第3期290-295,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：摩托罗拉先进产品研究与发展实验室资助项目

摘　　要：Hot carrier induced (HCI) degradation of surface channel n MOSFETs with different oxide thicknesses is investigated under maximum substrate current condition.Results show that the key parameters m and n of Hu's lifetime prediction model have a close relationship with oxide thickness.Furthermore,a linear relationship is found between m and n .Based on this result,the lifetime prediction model can be expended to the device with thinner oxides.在最大衬底电流条件下 (Vg=Vd/ 2 ) ,研究了不同氧化层厚度的表面沟道 n- MOSFETs在热载流子应力下的退化 .结果表明 ,Hu的寿命预测模型的两个关键参数 m与 n氧化层厚度有着密切关系 .此外 ,和有着线性关系 ,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数 ,但是如果对于不同厚度的氧化层 ,采用不同的 m与 n,Hu的模型仍然成立 .在这个结果的基础上 。

关 键 词：HCI hot  carrier effect oxide thickness effect lifetime prediction model device reliability 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]