用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟  

MOSiC Electric Character Simulation for VLSI

作　　者：陈卫兵[1] 钟德刚[2] 徐静平[2] 石迎生[2] 余国义[2] 

机构地区：[1]湘潭师范学院物理系,湖南湘潭411201 [2]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《湘潭师范学院学报（自然科学版）》2002年第1期26-29,共4页Journal of Xiangtan Normal University (Natural Science Edition)

基　　金：湖北省自然科学基金 (2 0 0 0J15 8)

摘　　要：在分析了金属 -氧化物 -SiC (MOSiC)器件物理模型的基础上 ,分析了界面等物理效应对器件的影响 ,建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件 ,模拟了MOSiC器件的电特性。With the character dimension decreasing, some new physical effects appear, for example:surface, interface. Physical Models need rebuilding for VLSI. In this paper, we discuss how these physical effects work on the device after analyzing an old device model of Metal-Oxidation-SiC (MOSiC) and a new MOSiC device model is built for VLSI. The electric character of MOSiC device is simulated by using MATLAB software.

关 键 词：VLSI MATLAB 金属-氧化物-碳化硅器件 MOSiC器件 电特性 界面特性 半导体器件 计算机模拟 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]