三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制  

出　　处：《半导体信息》2018年第6期11-11,共1页Semiconductor Information

摘　　要：在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议(IEDM 2018)(12月1日至5日)上,三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的硫捕获器件电流路径中的一些电子传导,增加阈值电压而不改变器件的导通电阻而实现的。

关 键 词：三菱电机公司 功率半导体 东京大学 SIC 可靠性 机制 加利福尼亚州 电子设备 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]