反应烧结碳化硅过程的数学模型  

Mathematical Models for the Process of Reaction Bonded Silicon Carbide

作　　者：蔡新民[1] 武七德[1] 刘伟安[2] 

机构地区：[1]武汉理工大学 [2]武汉大学

出　　处：《武汉理工大学学报》2002年第4期48-50,共3页Journal of Wuhan University of Technology

摘　　要：考虑不同因素的影响 ,建立了反应烧结碳化硅反应烧结过程的一组数学模型 。Several mathematical models for reaction process of reaction bonded silicon carbide are set up, which are quasi linear parabolic systems.

关 键 词：反应烧结 碳化硅陶瓷 数学模型 拟线性 势物型方程组 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] TQ174.65[化学工程—硅酸盐工业]