Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜  

Preparation of PLZT-based ferroelectric thin films by Sol-Gel method

作　　者：侯识华[1] 宋世庚[1] 郑应智[1] 马远新[2] 郑毓峰[3] 

机构地区：[1]中国科学院新疆物理研究所,新疆维吾尔自治区乌鲁木齐830011 [2]新疆医科大学基础部,新疆维吾尔自治区乌鲁木齐830054 [3]新疆大学物理系,新疆维吾尔自治区乌鲁木齐830046

出　　处：《材料科学与工艺》2002年第1期107-112,共6页Materials Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(19702016)

摘　　要：介绍了Sol-Gel法,并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结,详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程.In this paper,the Sol-Gel method is reviewed and researches on PLZT-based ferroelectric thin films prepared by Sol-Gel method in recent years are summarized and analysized.The precursors and tech-nological processes of preparing PLZT-based ferroelectric thin films by Sol-Gel method are discussed.

关 键 词：SOL-GEL法 PLZT 铁电薄膜 钛酸盐 制备 工艺流程 原料 

分 类 号：TM223[一般工业技术—材料科学与工程] TB43[电气工程—电工理论与新技术]