多晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟  

MODELING OF a-Si/poly-Si AND a-Si/poly-Si/poly-Si STACKED SOLAR CELLS

作　　者：葛惠春[1] 薛俊明[1] 耿新华[1] 李洪波[1] 王宗畔[1] 王庆章[1] 任慧志[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子研究所,天津300071

出　　处：《太阳能学报》2002年第2期145-149,共5页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 2 82 0 0 )经费资助

摘　　要：建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型。利用该模型 ,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a Si/poly Si双结电池、a Si/ poly Si/ poly Si三结电池 ,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a Si/ poly Si/ poly Si三结叠层电池 ,其子电池厚度为 0 2 3/ 0 95 / 3μm ,最高效率为 2 2 74 %。A computer model for the poly Si thin film related solar cells is established.The performance of solar cells with the structure of single junction poly Si cell,a Si/poly Si tandem cell and a Si/poly Si/poly Si triple cell are calculated. The results indicate that the feasible structure for poly Si related solar cell is a Si/poly Si/poly Si triple cell with the best matched thickness of 0 23/0 95/3μm with light trapping structure,which has the highest simulated efficiency of 22 74%.

关 键 词：多晶硅薄膜 叠层电池 计算机模型 陷光结构 太阳能电池 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]