LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告  

REPORT ON O^+ IMPLANTATION HOMOGENEITY OF LC-14 HIGH CURRENT OXYGEN IMPLANTOR BY MEANS OF RBS

作　　者：罗晏[1] 唐景庭[2] 李雪春[3] 卢志恒[3] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所 [2]信息产业部电子第四十八研究所,长沙410111 [3]北京师范大学物理学系

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2002年第2期204-207,共4页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 9976 0 0 5 ) ;教育部重离子物理重点实验室基金资助项目

摘　　要：报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合 ,成功地分离出注入的氧峰 .数据处理结果表明 ,氧注量的均匀性以标准偏差表示为 7.8% ,基本上达到了设计要求 .计算了注氧层和表面硅层的厚度 ,并且还对注量进行了校正 .The application of double exponent function to fit the RBS spectra of high dose oxygen implanted silicon successfully separates the oxygen peaks from RBS spectra. The results demonstrate that the standard error of homogeneity of oxygen implantation dose is 2.3%, which reaches the design requirement. The thickness of oxygen implanted layer and the thickness of surface Si layer are calculated, and the implantation dose is calibrated as well.

关 键 词：LC-14型强流氧注入机 注入均匀性 背散射分析 SOI材料 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学] TN304.12