半导体材料研究的新进展(续)  

作　　者：王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《半导体技术》2002年第4期8-11,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划项目“信息功能材料相关基础问题”（G2000068300）；国家自然科学基金委员会的资助；中国科学院半导体材料科学重点实验室

关 键 词：光学微腔 光子晶体 量子比特 量子计算机 中国 硅单晶 砷化镓 半导体材料 进展 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]