一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管  

A NOVEL GaAsSb/InP HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR BASEDON BANDGAP ENGINEERING

作　　者：刘喆[1] 唐喆[1] 崔得良[1] 徐现刚[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《物理》2002年第5期306-309,共4页Physics

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 2 5 40 9)资助项目

摘　　要：异质结晶体三极管 (HBT)的性能与其材料体系密不可分 ,利用能带工程可以大大优化器件的结构 ,提高器件性能 .文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手 ,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能 ,分析了该器件与其他材料体系器件相比所具有的优异特性 ,说明了对HBT的各区材料 ,其带边的相对位置所起的重要作用 .最后 ,文章还报道了近期的实验情况 ,说明了GaAsSbThe characteristics of a heterojunction bipolar transistor (HBT) depends closely on the properties of the material system and can be improved greatly by bandgap engineering. A novel HBT system consisting of GaAsSb/InP heterostructures and based on bandgap engineering has much better device characteristics than other material systems. Furthermore, the relative position of the bandedge plays a very important role in each of the HBTs. Recent results show that the actual properties of these GaAsSb/InP HBTs are consistent with the predictions of theoretical analysis.

关 键 词：能带工程 异质结双极晶体三极管 GaAsSb/InP HBT 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]