刘喆

作品数：4被引量：17H指数：2
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供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文主题：INPSIC单晶宽禁带半导体晶体生长晶体缺陷更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《材料科学与工程学报》《物理》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
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SiC单晶生长热力学和动力学的研究被引量：7
《人工晶体学报》2004年第3期283-287,共5页董捷 刘喆 徐现刚 胡晓波 李娟 王丽 李现祥 王继扬 
国家自然科学基金 ( 60 0 2 5 10 9); 863 ( 2 0 0 1AA3 110 80 )项目资助
升华法生长大直径碳化硅 (SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点 ,本文对Si C系中的Si,Si2 ,Si3 ,C ,C2 ,C3 ,C4,C5,SiC ,Si2 C ,SiC2 等气相物种的热力学平衡过程进行了研究 ,发现SiC生长体系中的主要物种为Si,Si2 C ,SiC2 。生长初...
关键词：SIC 生长工艺 热力学 动力学 温度梯度 扩散系数 砷化镓 
SiC单晶生长被引量：10
《材料科学与工程学报》2003年第2期274-278,共5页刘喆 徐现刚 
国家杰出青年科学基金资助项目 (60 0 2 540 9); 863资助项目 (2 0 0 1AA31 1 0 8)
本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择 。
关键词：SIC单晶 碳化硅 宽禁带半导体 晶体生长 气相生长 晶体缺陷 
基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管
《Journal of Semiconductors》2002年第9期962-965,共4页徐现刚 刘喆 崔得良 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 0 2 5 40 9)~~
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而且还表现出良好的微波特性 ,其结果与能带理论的预言一致 ,DHB...
关键词：GAASSB INP MOCVD 双异质结晶体三极管 DHBT 
一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管
《物理》2002年第5期306-309,共4页刘喆 唐喆 崔得良 徐现刚 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 2 5 40 9)资助项目
异质结晶体三极管 (HBT)的性能与其材料体系密不可分 ,利用能带工程可以大大优化器件的结构 ,提高器件性能 .文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手 ,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能 ...
关键词：能带工程 异质结双极晶体三极管 GaAsSb/InP HBT 
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