SiC单晶生长  

Growth of Bulk SiC

作　　者：刘喆[1] 徐现刚[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《材料科学与工程学报》2003年第2期274-278,共5页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：国家杰出青年科学基金资助项目 (60 0 2 540 9); 863资助项目 (2 0 0 1AA31 1 0 8)

摘　　要：本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择 。This paper reviewed the developments and research progress on SiC crystal growth.Structural characteristics,growth methods,problems existing in the growth process and crystal defects are introduced.

关 键 词：SIC单晶 碳化硅 宽禁带半导体 晶体生长 气相生长 晶体缺陷 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]