真空退火对LiF和CaF_2薄膜结晶性能的影响  

Vacuum Annealing of LiF and CaF_2 Thin Films

作　　者：万媛[1] 李德杰[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《真空科学与技术》2002年第2期146-148,共3页Vacuum Science and Technology

摘　　要：研究了真空退火对玻璃衬底上热蒸发沉积的LiF和CaF2 薄膜的结晶性能的影响。X射线衍射分析结果表明 ,在4 2 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,LiF薄膜的结晶状况明显改善 ;在 4 6 0℃温度下 ,随着退火时间的增长 ,CaF2Thin films of LiF and CaF 2 deposited on glass substrates and annealed in vacuum,was characterized by X ray diffraction.The thermal annealing at 420 ℃ and 460 ℃ improved the crystal properties of LiF and CaF 2 films respectively.

关 键 词：真空退火 氟化锂 氟化钙 场发射显示器 LiF薄膜 CaF2薄膜 结晶性能 X射线衍射 电子传输层 

分 类 号：TN873.95[电子电信—信息与通信工程] O484.1[理学—固体物理]