直拉Si单晶中的缺陷减少与吸杂能力的提高  

作　　者：邓志杰 

出　　处：《现代材料动态》2002年第2期2-3,共2页Information of Advanced Materials

关 键 词：直拉Si单晶 缺陷 吸杂能力 硅单晶 半导体材料 生产工艺 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]