外延双阱CMOS倒相器的性能及制造工艺  

作　　者：王印[1] 成勃 谭延军 

机构地区：[1]机电部东北微电子研究所

出　　处：《微处理机》1991年第1期10-17,共8页Microprocessors

摘　　要：本文以倒相器为实例,较详细地介绍3微米设计规则的外延双阱 CMOS 器件,通过理论分析,计算机模拟、工艺实验及参数测试研究,分析阱的注入剂量,阱深和杂质分布的关系,探索工艺参数的优化设计,研究外延双阱 CMOS 倒相器的速度特性和抗闩锁能力。

关 键 词：CMOS器件 例相器 性能 外延 双阱 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]