高质量介质膜的淀积  

作　　者：Peter H.Singer 刘永光 

出　　处：《微电子学》1991年第1期75-77,共3页Microelectronics

摘　　要：打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷硅玻璃(BPSG)层。它们把金属线彼此隔离开来,并且平整化以便形成较好的台阶覆盖。

关 键 词：集成电路 介质膜 CVD淀积 

分 类 号：TN405.986[电子电信—微电子学与固体电子学]