CVD淀积

作品数：11被引量：2H指数：1
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LPCVD淀积LTO工艺研究被引量：1
《集成电路通讯》2010年第1期12-14,共3页简崇玺 
集成电路集成度的提高，特别是等离子刻蚀工艺的广泛应用，对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质量，提出了更高的要求。分析了LPCVD系统的气体弥散管和石英笼罩舟的结构及其对改善LTO膜均匀性的作用，研究了腔室压力和反应气体流量比对LTO薄...
关键词：淀积 二氧化硅薄膜 均匀性 流量比 
ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
《功能材料与器件学报》2000年第3期248-251,共4页谭满清 陆建祖 李玉鉴 
863资助项目!307-15-3(08)
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q...
关键词：ECRPlasmaCVD 光电器件介质膜 工艺模拟 沉积 
CVD淀积SiC薄膜SiH_4、CH_4的分解反应的计算机模拟研究
《计算机与现代化》2000年第3期21-25,40,共6页张洪涛 许辉 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 
采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中...
关键词：化学气相淀积 SIC薄膜 SIH4 CH4 计算机模拟 
ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1109-1114,共6页李玉鉴 谭满清 茅冬生 陆建祖 
国家"863"高技术计划项目!307-06-04(01)
用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ） 镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ 关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ...
关键词：介质膜 折射率 神经网络 等离子法 化学气相沉积 
ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟
《光学仪器》1999年第4期51-55,共5页谭满清 陆建祖 李玉鉴 
以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ 与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学...
关键词：ECR PLASMA CVD 光学膜 工艺模拟 CVD 
InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及C-V特性被引量：1
《半导体光电》1997年第2期135-137,共3页戴国瑞 管玉国 赵军 南金 
吉林省科委资助
报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。
关键词：半导体材料 半导体工艺 钝化 界面态密度 
准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO_2薄膜
《吉林大学自然科学学报》1995年第4期71-73,共3页张健 王庆亚 郑伟 赵方海 张玉书 
国家863项目资助课题
采用准分子激光诱导ＣＶＤ淀积ＳｎＯ＿２透明导电薄膜，并在其生长过程中进行掺杂Ｓｂ的实验，研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系，得到了电阻率为１．４９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的高质量的ＳｎＯ＿２薄膜。
关键词：准分子激光诱导 掺杂 薄膜 二氧化锡 CVD 
常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究
《武汉工业大学学报》1991年第3期34-39,共6页王永兴 崔万秋 何笑明 王敬义 
国家自然科学基金
本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。
关键词：常压 CVD 淀积 非晶态 薄膜 硅 
高质量介质膜的淀积
《微电子学》1991年第1期75-77,共3页Peter H.Singer 刘永光 
打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷...
关键词：集成电路 介质膜 CVD淀积 
甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究
《华中理工大学学报》1991年第2期107-112,共6页王敬义 何笑明 王宇 王永兴 
国家自然科学基金资助项目
本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.
关键词：非晶硅 甲硅烷 APCVD 淀积 热扩散 
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