InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及C-V特性  

Interface structure and C - V characteristic of SiO 2 film by plasma-CVD on InP surface

作　　者：戴国瑞[1] 管玉国[1] 赵军[1] 南金 

机构地区：[1]吉林大学

出　　处：《半导体光电》1997年第2期135-137,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：吉林省科委资助

摘　　要：报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。Using TEOS as a source SiO 2 passive films,are precursor are prepared by PECVD technique at low temperature.SiO 2/InP interface state is analyzed by XPS,and C - V characteristic of SiO 2/InP are investigated.

关 键 词：半导体材料 半导体工艺 钝化 界面态密度 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学] TN305