常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究  

The Studies on the Amorphous Silicon Thin Films Deposited by CVD at Atmosphere Pressure

作　　者：王永兴[1] 崔万秋[1] 何笑明[2] 王敬义[2] 

机构地区：[1]武汉工业大学材料科学系 [2]华中理工大学

出　　处：《武汉工业大学学报》1991年第3期34-39,共6页

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。The a-si thin film deposited by CVD at atmosphere pressure is reported. It is the good material which a-si solar cell is made from. The Structure and properties of a-si thin film are analysed by XRD,SEM,IR spectrum and XPS spectrum. The theoretical model on a- si thin film deposition is shown.

关 键 词：常压 CVD 淀积 非晶态 薄膜 硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]