LPCVD淀积LTO工艺研究  

作　　者：简崇玺 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2010年第1期12-14,共3页

摘　　要：集成电路集成度的提高，特别是等离子刻蚀工艺的广泛应用，对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质量，提出了更高的要求。分析了LPCVD系统的气体弥散管和石英笼罩舟的结构及其对改善LTO膜均匀性的作用，研究了腔室压力和反应气体流量比对LTO薄膜均匀性的影响。

关 键 词：淀积 二氧化硅薄膜 均匀性 流量比 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]