云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SIH4

SIH4: 作品数：53被引量：44H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：傅广生韩理张连水陆庆正孔繁敖更多>>; 相关机构：大连理工大学中国科学技术大学浙江大学河北大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《物理化学学报》《Plasma Science and Technology》《Tsinghua Science and Technology》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金河南省教育厅科学技术研究重点项目广东省自然科学基金更多>>

应用回归分析改善A面板工厂SiH4日常供应管理: 《价值工程》2020年第24期79-84,共6页姜昌日; 作为危险化学品的SiH4在液晶面板制造中主要用于化学气相沉淀工艺,是重要的原材料之一。为了生产的安全和稳定,甚至控制成本,需要建立该原材料的日常供应控制管理。用SPC控制图管理日常供应量是非常有效的方法,但是日常供应量数据有时...; 关键词：回归分析供应量 SIH4 SPC

Velocity and Stability of Condensed Polymorphic SiH4: A High-Temperature High-Pressure Brillouin Investigation: 《Chinese Physics Letters》2020年第6期48-52,共5页Jiayu Wang Qiang Zhou Siyang Guo Yanping Huang Xiaoli Huang Lu Wang Fangfei Li Tian Cui; Supported by the National Key Research and Development Program(Grant No.2017YFA0403704);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11474127,11574112,11274137,and 11504127);the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University(Grant No.IRT1132);China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2015M570265)。; Silane(SiH4)is a promising hydrogen-rich compound for pursing high temperature superconducting.Previous high pressure measurements of Raman,x-ray diffraction and theoretical studies on SiH4 mainly focused on its polym...; 关键词：BRILLOUIN COMPOUND EXTREME

氢化非晶硅薄膜的制备与工艺参数优化被引量：1: 《微电子学》2016年第5期706-710,共5页朱永航刘一剑黄霞黄惠良; 国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目((BC3400026); 采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H_2/SiH_4气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性的影响。实验结果表明,该方法可以制备出...; 关键词：氢化非晶硅薄膜间接型射频等离子体微观结构 H含量 H2/SiH4气流量比工艺功率工艺压强

SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响被引量：2: 《太阳能》2016年第4期39-41,19,共4页梁吉连刘平卢玉荣张剑锋王仕鹏黄海燕陆川; 利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率<2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率>2.16时,...; 关键词：SINX 减反射层 NH3/SiH4流量比 PID现象

电弧离子镀制备TiSiN纳米复合涂层被引量：14: 《表面技术》2015年第8期15-19,37,共6页田灿鑫周小东周思华杨兵付德君; 国家自然科学基金资助项目(11405117;11405280);河南省教育厅科学技术研究重点项目(14B140021);周口师范学院博士科研启动经费资助项目(zksybscx201210)~~; 目的在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构...; 关键词：电弧离子镀 TiSiN纳米复合涂层 SiH4流量力学性能硬度摩擦系数

Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4° off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2 System: 《Chinese Physics Letters》2013年第12期157-160,共4页LIU Bin SUN Guo-Sheng LIU Xing-Fang ZHANG Feng DONG Lin ZHENG Liu YAN Guo-Guo LIU Sheng-Bei ZHAO Wan-Shun WANG Lei ZENG Yi-Ping LI Xi-Guang WANG Zhan-Guo YANG Fei; Supported in part by the Program of 2011(2nd)Innovative Research Teams and Leading Talents in Guangdong Province of China,the Program of Strategical Boomindustry Key Technology of Guangdong Province,the Major Science and Technology Program of Dongguan,the Program of State Grid Smart Grid Research Institute(SGRIWD7113004);the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 51102225 and 61274007;the Natural Science Foundation of Beijing under Grant No 4132074.; Homoepitaxial growth of 4H-SiC epilayers is conducted in a SiH_(4)-C_(2)H_(4)-H_(2) system by low pressure hot-wall vertical chemical vapor deposition(CVD).Thick epilayers of 45μm are achieved at a high growth rate u...; 关键词：temperature ROUGHNESS EPITAXIAL

Numerical Simulation of Particle Densities Distributions in Atmospheric Pressure Ar/SiH4/H2 Mixed Plasma Under Very High Frequency Excitation: 《高电压技术》2013年第9期2228-2234,共7页ZHUANG Juan SANG Chaofeng WU Mengxue WANG Dezhen; Project supported by Liaoning Provincial Natural Science Foundation of China （201202037）.; To improve the microcrystalline silicon thin film deposition in quality and to increase its microcrystalline silicon content,we numerically investigated the characteristics of homogeneous discharges in hydrogen dilute...; 关键词：放电等离子体激励频率数值模拟大气压力密度分布混合气体激发粒子

The effects of process conditions on the plasma characteristic in radio-frequency capacitively coupled SiH_4/NH_3/N_2 plasmas: Two-dimensional simulations: 《Chinese Physics B》2013年第4期338-343,共6页刘相梅宋远红姜巍易林; Project supported by the China Postdoctoral Science Foundation (Grant No. 2012M511603);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11105057 and 10775025);the Natural Science Foundation of Hubei Province of China (Grant No. 2007ABA035);the Program for New Century Excellent Talents in University of China (Grant No. NCET-08-0073); A two-dimensional （2D） fluid model is presented to study the behavior of silicon plasma mixed with SiH4 , N2 , and NH3 in a radio-frequency capacitively coupled plasma （CCP） reactor. The plasma–wall interaction ...; 关键词：capacitively coupled plasma process conditions effects SiH4/NH3/N2 discharges

SiH_4…Y(Y=He,Ne,Ar,Kr)体系中的分子间弱相互作用: 《原子与分子物理学报》2013年第2期178-184,共7页袁焜吕玲玲朱元成李会学; 甘肃高校研究生导师基金(1108-01);教育部科学技术重点研究计划(211189); 在MP2/aug-cc-pvtz水平上对SiH4…Y(Y=He,Ne,Ar,Kr)复合物势能面上的4个构型进行优化,探讨了SiH4…Y(Y=Ar,Kr)复合物体系中的蓝移氢键结构和电子性质.含基组重叠误差(BSSE)校正的分子间相互作用能的相对大小可以判断复合物的相对稳定性...; 关键词：SIH4 弱氢键 van der Waals力自然键轨道理论

薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)被引量：1: 《太阳能》2012年第15期16-17,共2页张晓丹赵颖熊绍珍; （3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生...; 关键词：薄膜太阳电池硅基等离子体放电 SIH4 合金薄膜 C02 衬底温度浓度比

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