薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)  

作　　者：张晓丹[1] 赵颖[1] 熊绍珍[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电信息技术科学教育部重点实验室 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室

出　　处：《太阳能》2012年第15期16-17,共2页Solar Energy

摘　　要：（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH。／（SiH4＋H2）表示），在等离子体放电作用下，C02、SiH4、H2之间将产生以下反应：SiH44＋C02＋H2→a-SiO：H，生成非（或微）晶硅氧合金薄膜。

关 键 词：薄膜太阳电池 硅基 等离子体放电 SIH4 合金薄膜 C02 衬底温度 浓度比 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]