SiN_x减反射层对组件抗PID能力影响  

作　　者：梁吉连[1] 刘平[1] 卢玉荣[1] 张剑锋[1] 王仕鹏[1] 黄海燕[1] 陆川[1] 

机构地区：[1]浙江正泰太阳能科技有限公司

出　　处：《太阳能》2016年第4期39-41,19,共4页Solar Energy

摘　　要：利用管式PECVD工艺,通过调整气体流量比,得到减反射性能较佳的双层SiN_x:H膜电池片,再对电池片封装成的光伏组件进行96 h、300 h的PID实验,得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明,当折射率<2.05时,电池片的抗PID效果较差,当折射率>2.16时,抗PID效果显著;即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果,控制SiN_x膜电池片的折射率为2.16±0.02;即淀积1的较佳流量比NH3/SiH4为4.83,淀积2的较佳流量比NH_3/SiH_4为13.33,在此配比下电池片外观正常,电性能稳定性较好,同时组件抗PID测试300 h后衰减<5%。

关 键 词：SINX 减反射层 NH3/SiH4流量比 PID现象 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]