低能离子束在薄膜淀积中的应用  

APPLICATIONS OF LOW ENERGY ION BEAM TO FILM DEPOSITION

作　　者：任治璋 王向明[1] 姚振钰[1] 刘志剀 秦复光[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所,北京100083

出　　处：《微细加工技术》1991年第1期43-45,共3页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然科学基金资助

摘　　要：本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。Low temperature epitaxial films of Si, Ge,GaN, films with multilayer structure of Si/CoSi2/Si and diamond polycrystal films are fabricated using film deposition system with double low energy ion beams.

关 键 词：低能离子束 薄膜淀积 薄膜 SI Ge 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]