王向明

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：低能离子束FESI半导体外延膜外延法更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
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质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第8期509-512,共4页黄大定 姚振钰 壬治璋 王向明 刘志凯 秦复光 
采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
关键词：硅单晶 低能电子束 质量分离 
用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1992年第8期518-521,共4页姚振钰 任治璋 王向明 刘志凯 黄大定 秦复光 林兰英 
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽...
关键词：离子束外延法 FeSi2 半导体 薄膜 
低能离子束在薄膜淀积中的应用
《微细加工技术》1991年第1期43-45,共3页任治璋 王向明 姚振钰 刘志剀 秦复光 
国家自然科学基金资助
本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。
关键词：低能离子束 薄膜淀积 薄膜 SI Ge 
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