质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究  

Initial Study on Mass-analysed Low Energy Ion Beam Epitaxiai Ultrathin Silicon Film

作　　者：黄大定[1] 姚振钰[1] 壬治璋 王向明[1] 刘志凯[1] 秦复光[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1993年第8期509-512,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。An ultrathin silicon epitaxy growth has been carried out by the Mass-analysed Low EnergyIon Beam Epstaxial technology. (MALE-IBE). We have grown monocrystalline siliconfilms, which are 2000 A in thinkness and less than 500A in transition width. They have goodelectrical properties.

关 键 词：硅单晶 低能电子束 质量分离 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]