新型功率半导体器件IGCT的核心技术  

A Nucleus Technology of a New Power Semiconductor Device - IGCT

作　　者：王 颖 李双美[1] 吴春瑜[1] 白纪彬 朱长纯[3] 姚振华[3] 

机构地区：[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036 [2]西安电力电子研究所,陕西西安710061 [3]西安交通大学电子信息与工程学院,陕西西安710049

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2002年第2期115-120,共6页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

基　　金：国家自然科学基金(69876013)资助项目;辽宁省科技厅自然科学基金(002021)资助项目;辽宁省教育厅自然基金(20021076)资助项目

摘　　要：在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT.它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性、结构紧凑、低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对其四项核心技术:缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述.Today ordinary thyristor,GTO and IGBT play an important role in the applications of power semiconductor device for medium-voltage, and high power levels. However, these traditional power devices have some drawbacks. ABB Semiconductors have designed and produced a new power semiconductor device-IGCT. It has characteristics of large current, high power, high voltage, high switch frequency, proven reliability, low losses and so on. IGCT' s capacity is obviously beyond prevalent power device-GTO, IGBT. This paper introduced IGCT devices and its working principle briefly, the important parts were IGCT's nucleus technology and the improvement of device capaci-ty.

关 键 词：功率半导体器件 IGCT 核心技术 缓冲层 透明阳极 逆导技术 集成门极 绝缘栅双极型晶体管 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]