等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术  

作　　者：陈英方[1] 吴知非[1] 

机构地区：[1]中国纺织大学应用物理教研室,上海200051

出　　处：《物理》1991年第12期737-740,共4页Physics

摘　　要：本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｌｏｎ　ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ，简称 ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外，这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要．实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术．

关 键 词：等离子体 离子注入 材料 表面改性 

分 类 号：TB304[一般工业技术—材料科学与工程]