半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究  

THE PHOTOLUMINESCENCE AND ABSORPTION SPECTRA OF CdSSe QUANTUM DOTS UNDER 10 K

作　　者：吴畅书[1] 田强[1] 刘惠民[1] 王一红[1] 桑丽华[1] 

机构地区：[1]北京师范大学物理学系,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2002年第3期330-333,共4页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：教育部高等学校骨干教师资助计划项目

摘　　要：在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。Semiconductor CdSSe quantum dots are studied by means of PL and absorption spectra under a temperature of 10 K. Experiments are also performed under different temperatures. Quantum size effect, the temperature effect of energy levels and quantum confined effect are analyzed.

关 键 词：半导体量子点 光致发光谱 光吸收谱 纳米材料 量子尺寸效应 温度效应CdSSe量子点 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理] TB383[理学—物理]