在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响  

Effect of Se Source Temperature on Performances of CdSe Target in VME-FPC

作　　者：吕永积[1] 邵佑军[1] 刘光诒[2] 施化芬[1] 罗运良 

机构地区：[1]国家广播电影电视总局广播科学研究院光电研究所,北京102206 [2]中国科学院电子学研究所,北京100080 [3]北京三信时代信息公司,北京100091

出　　处：《液晶与显示》2002年第3期189-192,共4页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 6 9971 0 1 1 )

摘　　要：CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。This paper introduced the method and the apparatus under the accurate control of Se atmosphere.A decisive effect of Se temperature or its pressure on performances of CdSe photoconductive target was described.

关 键 词：烧结氧化 Se气氛 CdSe靶 真空微电子 平板摄像管 硒气氛 六角形结构 硒化镉靶 靶面材料 晶格结构 

分 类 号：TN142[电子电信—物理电子学]