193nm和308nm准分子激光对聚合物刻蚀特性的比较  

Comparison of Etching Characteristics of Polymers by 193 nm and 308 nm Excimer Laser Radiation

作　　者：章琳[1] 楼祺洪[1] 魏运荣[1] 董景星[1] 李铁军[1] 黄峰[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800

出　　处：《中国激光》2002年第1期25-28,共4页Chinese Journal of Lasers

摘　　要：描述了两种典型准分子激光 (XeCl:30 8nm ,30ns和ArF :193nm ,17ns)对三种常用聚合物PC ,PI和PMMA的刻蚀实验研究。着重讨论准分子激光对聚合物的刻蚀机制 ,并比较了这两种激光对三种聚合物的刻蚀性能。Experimental study of two kinds of typical excimer lasers (XeCl: 308 nm, 30 ns and ArF: 193 nm, 17 ns) etching PC, PI, and PMMA is described. The mechanism of excimer laser etching polymer is mainly discussed, and the performances of the two kinds of excimer lasers etching polymers are compared.

关 键 词：准分子激光 刻蚀 聚合物 光分解反应 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]