MOVPE生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的实验研究  

The Study of Hg_ (1-x) Cd_xTe Film Grown by MOVPE

作　　者：张怀若 杨玉林[2] 张梅[2] 李艳辉[2] 张静蓉[2] 杨宇[1] 姬荣斌[2] 

机构地区：[1]云南大学材料科学与工程系,昆明650091 [2]昆明物理研究所,昆明650223

出　　处：《红外技术》2002年第4期35-38,26,共5页Infrared Technology

摘　　要：采用金属有机化合物汽相外延法 (MOVPE)和多层膜互扩散生长工艺 (IMP)在不同的生长条件下生长了许多Hg1-xCdxTe/GaAs(2 11)薄膜样品 ,并对样品进行了傅利叶红外透射 (FTIR)和范德堡Hall测量 ;通过对许多实验数据进行系统的对比分析 ,总结了薄膜的生长规律 ,并对这些生长规律作出了理论分析 ,阐释了薄膜的微观生长机制。The substrates GaAs(211) were used to grow Hg 1- x Cd x Te film by MOVPE IMP method in different growth conditions.The samples were tested by FTIR and VAN.DER.PAUW methods.Through comparing and analyzing the experiment data of the samples,the film growth law is found and the micro growth mechanism is studied.

关 键 词：衬底 汽相外延 多层膜互扩散 厚度 半导体 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]