薄膜型锑化铟磁阻元件的研制  

作　　者：于成民[1] 安银姬[1] 李颖[1] 

机构地区：[1]机电部沈阳仪器仪表工艺研究所

出　　处：《仪表技术与传感器》1991年第2期17-19,共3页Instrument Technique and Sensor

摘　　要：本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥1.75的磁阻元件。主要技术指标达到了目前国际同类产品水平。

关 键 词：薄膜 锑化铟 磁阻元件 半导体 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]